深圳市佰骏工业产品设计有限公司
N沟道增强型MOSFET TDM3512 描述 该TDM3512采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 装置是适合用作负载开关或在PWM 应用。 一般特征 ?RDS(ON)<3.6mΩ@ VGS = 1.8V RDS(ON)<2.5mΩ@ VGS =2.5V RDS(ON)<2MΩ@ VGS= 4.5V ?高功率和电流处理能力 ?表面贴装封装 ?可提供无铅和绿色器件(符合RoHS标准) 应用 ?PWM应用 ?负载开关 ?电源管理 ?动力系统