泰德TDM3412 双N沟道 MOS管 一般描述 该TDM3412采用先进的沟槽技术 提供优异的RDS(ON)和低门电荷。 这个 装置是适合用作负载开关或在PWM应用。 一般特征 ◆频道1 ◆RDS(ON)<17.5mΩ@ VGS= 4.5V ◆RDS(ON)<10.8mΩ@ VGS = 10V ◆频道2 ◆RDS(ON)<16mΩ@ VGS= 4.5V ◆RDS(ON)<@为10mΩVGS =10V ◆高功率和电流处理能力 ◆可提供无铅产品 ◆表面贴装封装 应用:?PWM应用、?负载开关、?电源管理等